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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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韩冬 [2]
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陈伟 [1]
王丽 [1]
文献类型
期刊论文 [6]
发表日期
2019 [3]
2018 [3]
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英语 [3]
出处
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Electronic Devices and Circuits Based on Wafer-Scale Polycrystalline Monolayer MoS2 by Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 10
作者:
L.Wang
;
L.Chen
;
S.L.Wong
;
X.Huang
;
W.G.Liao
;
C.X.Zhu
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提交时间:2020/08/24
chemical vapor deposition (CVD),integrated circuits,memory,MoS2,transistors,transition-metal dichalcogenides,graphene transistors,integrated-circuits,phase growth,mobility,layers,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Physics
Optoelectronic and solar cell applications of Janus monolayers and their van der Waals heterostructures
期刊论文
Physical Chemistry Chemical Physics, 2019, 卷号: 21, 期号: 34, 页码: 18612-18621
作者:
M.Idrees
;
H.U.Din
;
R.Ali
;
G.Rehman
;
T.Hussain
;
C.V.Nguyen
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提交时间:2020/08/24
transition-metal dichalcogenides,electronic-structures,optical-properties,semiconductors,generation,graphene,Chemistry,Physics
Theoretical investigation of strain-engineered WSe2 monolayers as anode material for Li-ion batteries
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 370-375
作者:
J.Rehman
;
R.Ali
;
N.Ahmad
;
X.D.Lv
;
C.L.Guo
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提交时间:2020/08/24
2D materials,LIBs,Adsorption,Diffusion,Tensile strain,transition-metal dichalcogenides,electrode materials,crystalline wse2,mono layers,lithium,energy,adsorption,chemistry,graphene,storage,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Observation of Gap Opening in 1T ' Phase MoS2 Nanocrystals
期刊论文
Nano Letters, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 5085-5090
作者:
Xu, H.
;
Han, D.
;
Bao, Y.
;
Cheng, F.
;
Ding, Z. J.
;
Tan, S. J. R.
;
Loh, K. P.
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提交时间:2019/09/17
Two-dimensional materials
MoSv phase transition
quantum spin Hall
effect (QSH)
scanning tunneling microscopy (STM)
single-layer mos2
generalized gradient approximation
transition-metal
dichalcogenides
molybdenum-disulfide
nanosheets
monolayer
stabilization
intercalation
1t-mos2
mote2
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
Observation of Gap Opening in 1T ' Phase MoS2 Nanocrystals
期刊论文
Nano Letters, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 5085-5090
作者:
Xu, H.
;
Han, D.
;
Bao, Y.
;
Cheng, F.
;
Ding, Z. J.
;
Tan, S. J. R.
;
Loh, K. P.
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提交时间:2019/09/17
Two-dimensional materials
MoSv phase transition
quantum spin Hall
effect (QSH)
scanning tunneling microscopy (STM)
single-layer mos2
generalized gradient approximation
transition-metal
dichalcogenides
molybdenum-disulfide
nanosheets
monolayer
stabilization
intercalation
1t-mos2
mote2
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices
期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9
作者:
Liu, T.
;
Xiang, D.
;
Zheng, Y.
;
Wang, Y. A.
;
Wang, X. Y.
;
Wang, L.
;
He, J.
;
Liu, L.
;
Chen, W.
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提交时间:2019/09/17
homogeneous p-n junctions and inverters
MoTe2/BN heterostructures
nonvolatile and programmable
photodoping in MoTe2 devices
photoresist-free
transition-metal dichalcogenides
black phosphorus
mos2
wse2
inverters
graphene
diodes
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics