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Pressure-Induced Large Emission Enhancements of Cadmium Selenide Nanocrystals 期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 卷号: 140, 期号: 42, 页码: 13970-13975
作者:  Xiao, Guanjun;  Wang, Yingnan;  Han, Dong;  Li, Kexue;  Feng, Xiaolei;  Lv, Pengfei;  Wang, Kai;  Liu, Lei;  Redfern, Simon A. T.;  Zou, Bo
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cdse nanocrystals  molybdenum-disulfide  gold nanoclusters  quantum  dots  photoluminescence  phase  transformation  ligands  transition  wurtzite  Chemistry  
Luminescence lifetime enhanced by exciton-plasmon couple in hybrid CsPbBr3 perovskite Pt nanostructure 期刊论文
Materials Research Express, 2018, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 9
作者:  Liu, C. X.;  Zhang, J. S.;  Chen, Y. Y.;  Jing, P. T.;  Zhang, L. G.;  Zhao, H. F.;  Fu, X. H.;  Wang, L. J.
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hybrid CsPbBr3 perovskite/Pt  exciton-plasmon couple  energy transfer  lifetime enhancement  semiconductor quantum-dot  metal nanoparticles  gold nanoparticles  fluorescence  photoluminescence  emission  suppression  polaritons  overlap  cdse  Materials Science  
巯基丙酸分子对CdSe核壳量子点和ZnO纳米粒子薄膜之间电荷转移的影响 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 01, 页码: 26-31
作者:  邵聪;  刘学彦;  赵家龙
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巯基丙酸  Cdse量子点  电荷转移  光致发光  
以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性 期刊论文
发光学报, 2005, 期号: 01, 页码: 9-16
作者:  范希武;  单崇新;  羊亿;  张吉英;  申德振;  吕有明;  刘益春
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Cdse量子点  Zncdse量子点  Znses量子点  量子点的形成  
巯基包覆CdSe和CdSe/CdS核壳纳米晶的水相合成与表征(英文) 期刊论文
纳米技术与精密工程, 2004, 期号: 03, 页码: 175-181
作者:  安利民;  孔祥贵;  刘益春;  单桂晔;  吕强;  王新;  曾庆辉;  朝克夫;  冯力蕴;  张友林
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纳米晶  荧光  Cdse  
ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子隧穿过程 期刊论文
物理学报, 2004, 期号: 09, 页码: 3211-3214
作者:  金华;  张立功;  郑著宏;  孔祥贵;  安立楠;  申德振
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Zncdse量子阱  Cdse量子点  激子  隧穿  
十六烷基胺稳定的CdSe纳米晶体的合成与表征 期刊论文
高等学校化学学报, 2004, 期号: 06, 页码: 1108-1110
作者:  单桂晔;  吕强;  安利民;  王婷婷;  孔祥贵;  杨文胜;  白玉白;  李铁津;  孙家锺
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Cdo  高温化学反应  十六烷基胺  Cdse纳米晶  
掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 期刊论文
液晶与显示, 2000, 期号: 03, 页码: 196-201
作者:  景玉梅;  叶如华;  李志明;  李菊生
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Cdse  薄膜晶体管  掺杂  
用泵浦-探测方法研究ZnCdSe量子阱/CdSe量子点复合结构中的激子衰减 期刊论文
发光学报, 2000, 期号: 02, 页码: 85-88
作者:  张立功;  申德振;  王海宇;  王希军;  范希武
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Zncdse量子阱  Cdse量子点  激子  泵浦-探测  
CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 期刊论文
液晶与显示, 2000, 期号: 01, 页码: 35-39
作者:  景玉梅;  李志明;  李菊生;  叶如华
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Cdse  薄膜晶体管  迁移率