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在低温下对硅表面氧化物的去除和外延生长方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  张吉英;  范希武;  赵晓薇;  刘益春
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