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AlScN/n-GaN Ferroelectric Memristors With Controllable On/Off Ratios and Reversible Bipolar Resistive Switching Characteristics 期刊论文
Ieee Electron Device Letters, 2024, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 356-359
作者:  M. R. Liu, S. P. Lu, Y. P. Jia, H. Zang, K. Jiang, X. J. Sun and D. B. Li
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