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大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 期号: 01, 页码: 11-13
作者:  李忠辉;  高欣;  李梅;  王玲;  张兴德
caj(57Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：535/95  |  提交时间：2013/03/11
分别限制异质结构  单量子阱  无铝激光器  
大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 期号: 03, 页码: 255-256+264
作者:  李忠辉;  王玲;  李梅;  高欣;  张兴德
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分子束外延  阵列半导体激光器  分别限制  量子阱  
半导体微碟激光器设计原理与工艺制作 期刊论文
光学学报, 2002, 期号: 05, 页码: 563-567
作者:  吴根柱;  杜宝勋;  杨进华;  任大翠;  张兴德
caj(63Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：533/125  |  提交时间：2013/03/11
微碟激光器  有效光子状态密度  光抽运  电偶极子  品质因数  
InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响 期刊论文
半导体光电, 2002, 期号: 02, 页码: 90-91+95
作者:  李忠辉;  李梅;  王玲;  高欣;  王玉霞;  张兴德
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分别限制结构  阈值电流密度  外微分量子效率  
高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 01, 页码: 90-92
作者:  李忠辉;  王玉霞;  高欣;  李梅;  王玲;  张兴德
caj(28Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：559/82  |  提交时间：2013/03/11
梯度折射率  分别限制结构  单量子阱  激光器  
850nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器 期刊论文
中国激光, 2002, 期号: 01, 页码: 5-6
作者:  李忠辉;  王玉霞;  王玲;  高欣;  王向武;  张兴德
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有源区  大功率激光器  分别限制单量子阱  
980 nm高功率列阵半导体激光器 期刊论文
光电子技术与信息, 2001, 期号: 06, 页码: 28-30
作者:  曲轶;  高欣;  薄报学;  张兴德;  石家纬
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分子束外延  列阵  半导体激光器  
LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器 期刊论文
半导体学报, 2001, 期号: 12, 页码: 1557-1560
作者:  李忠辉;  王向武;  杨进华;  张兴德
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金属有机化合物气相外延  宽波导  分别限制  单量子阱  无铝激光器  
940nm列阵窗口半导体激光器 期刊论文
光电子·激光, 2001, 期号: 08, 页码: 825-826
作者:  李辉;  李军;  曲轶;  薄报学;  张兴德
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分子束外延  列阵  窗口半导体激光器  
液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究 期刊论文
兵工学报, 2001, 期号: 02, 页码: 214-217
作者:  杨进华;  高欣;  李忠辉;  吴根柱;  张兴德
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液相外延  大功率  半导体激光器