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TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺 期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: 12
作者:  辛玉洁;  于春崎
caj(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：544/74  |  提交时间：2012/09/25
薄膜晶体管  5次光刻  背沟道刻蚀型  背沟道保护型  A-si岛  
像素设计中沟道宽和长的选择 期刊论文
现代显示, 2007, 期号: 5
作者:  汪梅林;  于春崎;  汪永安
Unknown(135Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：474/119  |  提交时间：2012/09/25
薄膜晶体管  沟道宽(w)  沟道长(l)  开态电流(I_(On))  关态电流(I_(Off))  开口率  跳变电压(△v_p)