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Improved field emission characteristic of carbon nanotubes by an Ag micro-particle intermediation layer 期刊论文
Microelectronics Journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 782-785
作者:  Lu W. H.;  Song H.;  Jin Y. X.;  Zhao H. F.;  Li Z. M.;  Jiang H.;  Miao G. Q.
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Influence of connecting units' thicknesses on tandem organic devices' performances 期刊论文
Microelectronics Journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1622-1625
作者:  Liu M. J.;  Chen P.;  Xue Q.;  Jiang F. F.;  Xie G. H.;  Hou J. Y.;  Zhao Y.;  Zhang L. Y.;  Li B.
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Effect of In content of the buffer layer on crystalline quality and electrical property of In0.82Ga0.18As/InP grown by LP-MOCVD 期刊论文
Microelectronics Journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 398-400
作者:  Zhang T. M.;  Miao G. Q.;  Jin Y. X.;  Xie J. C.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.
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The electroluminescent investigation of double layer Eu-complex organic electronic luminescence diodes 期刊论文
Microelectronics Journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 231-234
作者:  Sun X. Y.;  Li W. L.;  Hong Z. R.
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Convex corners undercutting and rhombus compensation in KOH with and without IPA solution on (110) silicon 期刊论文
Microelectronics Journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 11, 页码: 1297-1301
作者:  Jia C. P.;  Dong W.;  Liu C. X.;  Zhang X. D.;  Zhou J. R.;  Zhong Z. C.;  Xue H. L.;  Zang H. D.;  Xu B. K.;  Chen W. Y.
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Crystal size dependence of the persistent phosphorescence in Sr(2)ZnSi(2)O7 : Eu2+, Dy3+ 期刊论文
Microelectronics Journal, 2005, 卷号: 36, 期号: 3—6, 页码: 546-548
作者:  Wang X. J.;  He Z. Y.;  Jia D.;  Strek W.;  Pazik R.;  Hreniak D.;  Yen W. M.
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Analysis of the detectivity for triple-layer heterojunction GaSb/GaInAsSb infrared detectors 期刊论文
Microelectronics Journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 305-312
作者:  Yuan T.;  Jin C. S.;  Jin Y. X.
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