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| 四硼酸锂(Li_2B_4O_7)单晶的生长 期刊论文
人工晶体, 1989, 期号: 01, 页码: 30-34
作者: 刘星忠; 张顺兴
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Li_2b_4o_7:6210 四硼酸锂:6181 晶体生长:3462 降温速率:1637 单晶:1553 X射线:1465 基片材料:1309 生长速率:946 衍射图:900 生长条件:751 |
| 温梯法生长晶体中参数分析 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 413
作者: 姜国经; 于长江; 刘景和; 杨魁胜; 韩立义
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温梯法:6351 参数分析:6100 生长晶体:3468 精密机械:1610 绝热层:1335 晶体生长技术:1216 氧化物晶体:1165 物理模型:1116 光学晶体:1006 方法特点:967 |
| 四硼酸锂晶体多晶料的制备及其生长 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 213
作者: 刘景和; 杨奎胜; 韩立义; 乔茂友
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四硼酸锂晶体:8128 多晶料:4846 声表面波材料:1556 中国科学院:1489 精密机械:1229 制备方法:1150 Li_2b_4o_7晶体:1073 Saw器件:884 基片材料:755 量的研究:679 |
| 掺杂氟化钡晶体的性能研究 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 373
作者: 崔凤柱; 郑宇; 姜国经; 于长江
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氟化钡晶体:7365 性能研究:5169 闪烁晶体:3045 中国科学院:1805 精密机械:1490 广泛应用前景:1080 杂质影响:987 晶体质量:986 Baf_2晶体:846 光输出:653 |
| 壳层的形成与研究 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 227
作者: 姜国经; 于长江; 崔凤柱
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氟化物晶体:6654 壳层:3934 晶体生长:3029 中国科学院:2541 温度梯度:2468 工艺条件:2253 精密机械:2098 晶体相:1790 生长周期:1731 热历史:1681 |
| 氟化物晶体中低价稀土离子光谱结构及其价态稳定性 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 372
作者: 张仁化
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稀土离子:6316 价态稳定性:4971 氟化物晶体:4731 光谱结构:2954 可调谐:1186 激光晶体材料:988 晶体激光器:876 合成条件:697 射频加热:609 惰性气氛:512 |
| CaF_2晶体色心形成及物理性能 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 335
作者: 崔凤柱; 赵仁宁; 姜国经; 于长江
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物理性能:6063 Caf_2:5217 光学材料:3941 色心:2765 中国科学院:1820 激光晶体:1709 精密机械:1503 晶体缺陷:1222 晶体生长过程:1208 热释光:1173 |
| 温梯法生长晶体中界面运动速度与坩埚下降速度间关系的讨论 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 413
作者: 杨魁胜; 韩立义; 李建利; 刘景和; 姜国经; 于长江
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温梯法:5473 生长晶体:4184 运动速度:3772 中界面:3471 下降速度:3315 精密机械:2331 影响因素:2132 晶体生长速度:1376 坩埚:1344 晶体生长过程:1250 |
| 快速生长水溶晶体新方法——电渗析法 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 262
作者: 惠博然
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电渗析法:5616 晶体生长设备:4585 快速生长:4570 新方法:4059 晶体生长过程:2043 电渗析器:1195 生长晶体:1155 控制电流:1062 阳离子交换膜:1008 水溶:981 |
| 晶体生长方法及其选择 期刊论文
人工晶体, 1985, 期号: Z1, 页码: 239
作者: 刘景和; 乔茂友
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晶体生长:4902 方法分类:600 分类法:586 精密机械:503 学院:66 |
