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Research Progress of High-speed 1 550 nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2022, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 736-744
作者:  S.-Y. Han;  S.-C. Tian;  H.-Y. Xu;  S.-C. Pan;  A. Mansoor;  C.-Z. Tong;  L.-J. Wang;  D. Bimberg and C. Li
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AlGaInAs近红外半导体激光器外延结构的退化机理研究 学位论文
博士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  宋悦
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AlGaInAs应变量子阱  铟离析  载流子局域化中心  热膨胀系数  热处理  
Photoelectric Characteristics of Micro Flip-Chip AlGaInP Light Emitting Diode Array 期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2018, 卷号: 38, 期号: 9
作者:  Ban, Zhang;  Liang, Jingqiu;  Lu, Jinguang;  Li, Yang
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Flip chip devices  Aluminum alloys  Copper  Diodes  Energy utilization  Gallium alloys  Heat convection  Heat resistance  III-V semiconductors  Indium alloys  Light emitting diodes  Microchannels  Numerical methods  Optical devices  Photoelectricity  Polydimethylsiloxane  Semiconductor alloys  Silicones  Temperature  
　LED集成阵列芯片理论及关键工艺研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者:  包兴臻
Adobe PDF(3149Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：427/2  |  提交时间：2014/03/15
Led阵列  隔离槽  出光效率  Mems技术  
柔性LED阵列器件的结构设计及制备研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者:  高丹
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微型柔性led阵列  Algainp  聚酰亚胺  Moems技术  隔离沟槽  
电极结构对AlGaInP-LED阵列电流分布的影响 期刊论文
发光学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 1051-1056
作者:  梁静秋;  梁中翥;  王维彪
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Eu2+激活的氮氧化物荧光粉的发光及其长余辉性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  王美媛
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漏光波导机制四元系半导体激光器 期刊论文
中国激光, 1999, 期号: 09, 页码: 785-789
作者:  晏长岭;  钟景昌
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半导体激光器  漏光波导  四元系  长彼长  Lpe