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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4InP grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G.;  Jiang H.;  Cao L.;  Sun X.;  Li D.;  Chen Y.;  Li Z.
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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
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SiC/SiO2 core-shell nanowires with different shapes: Synthesis and field emission properties 期刊论文
Solid State Communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 15-16, 页码: 794-798
作者:  Cao L. Z.;  Jiang H.;  Song H.;  Liu X.;  Guo W. G.;  Yu S. Z.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.
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Growth of platelike and branched single-crystalline Si3N4 whiskers 期刊论文
Solid State Communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 3—4, 页码: 263-268
作者:  Yang W. Y.;  Xie Z. P.;  Li J. J.;  Miao H. Z.;  Zhang L. G.;  An L. N.
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