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LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 期号: 03, 页码: 232-235
作者:  李忠辉;  张宝顺;  杨进华;  张兴德;  王向武
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分别限制结构  单量子阱  激光器  
InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究 期刊论文
中国激光, 2000, 期号: 08, 页码: 687-690
作者:  杨进华;  任大翠;  张剑家;  杜宝勋;  张兴德
caj(69Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:531/72  |  提交时间:2013/03/12
半导体激光器  分别限制异质结构  光波导  
高功率无铝半导体激光器 期刊论文
半导体光电, 2000, 期号: 02, 页码: 80-84
作者:  杨进华;  张兴德;  任大翠
caj(59Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:415/63  |  提交时间:2013/03/11
半导体激光器  高功率  量子阱  分别限制异质结构