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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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中科院长春光机所知识... [3]
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1996 [1]
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1994 [1]
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英语 [3]
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出处:Journal of Materials Science Letters
语种:英语
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Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission
期刊论文
Journal of Materials Science Letters, 1996, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 189-191
作者:
Liang J. C.
;
Zhao J. L.
;
Gao Y.
;
Dou K.
;
Huang S. H.
;
Yu J. Q.
;
Gao H. K.
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提交时间:2012/10/21
STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS
期刊论文
Journal of Materials Science Letters, 1995, 卷号: 14, 期号: 14, 页码: 1004-1006
作者:
Zhao J. L.
;
Gao Y.
;
Liu X. Y.
;
Dou K.
;
Huang S. H.
;
Yu J. Q.
;
Liang J. C.
;
Gao H. K.
Adobe PDF(259Kb)
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浏览/下载:772/154
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提交时间:2012/10/21
STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION
期刊论文
Journal of Materials Science Letters, 1994, 卷号: 13, 期号: 23, 页码: 1694-1696
作者:
Zhao J. L.
;
Gao Y.
;
Liu X. Y.
;
Su X. A.
;
Huang S. H.
;
Yu J. Q.
;
Liang J. C.
;
Gao H. K.
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提交时间:2012/10/21