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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Applied Physics Letters
语种:英语
文献类型:期刊论文
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Pressure-induced ionic–polaronic–ionic transition in LaAlO3
期刊论文
Applied Physics Letters, 2023, 卷号: 122, 期号: 26, 页码: 5
作者:
X. X. Zhao, J. Q. Cai, D. W. Jiang, M. Cao, L. Zhao and Y. H. Han
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提交时间:2024/08/13
Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:
K. Jiang
;
X. J. Sun
;
Y. X. Chen
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
Y. Chen
;
Z. H. Zhang
;
Y. P. Jia
;
Z. M. Shi and D. B. Li
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提交时间:2023/06/14
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Tunable enhancement of exciton emission from MgZnO by hybridized quadrupole plasmons in Ag nanoparticle aggregation
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 9, 页码: 4
作者:
Chen H. Y.
;
Liu K. W.
;
Jiang M. M.
;
Zhang Z. Z.
;
Xie X. H.
;
Wang D. K.
;
Liu L.
;
Li B. H.
;
Zhao D. X.
;
Shan C. X.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2015/04/24
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:
Chen Y. R.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Zhang Z. W.
;
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Miao G. Q.
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提交时间:2015/04/24
Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 23
作者:
Xie X. H.
;
Zhang Z. Z.
;
Li B. H.
;
Wang S. P.
;
Jiang M. M.
;
Shan C. X.
;
Zhao D. X.
;
Chen H. Y.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2014/05/14
Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:
You K.
;
Jiang H.
;
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Li Z. M.
;
Miao G. Q.
;
Liu H. B.
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提交时间:2012/10/21
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
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浏览/下载:601/131
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提交时间:2012/10/21
Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Li Z. M.
;
Chen Y. R.
;
Miao G. Q.
;
Jiang H.
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浏览/下载:675/171
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提交时间:2012/10/21
Mg(x)Zn(1-x)O-based photodetectors covering the whole solar-blind spectrum range
期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 17
作者:
Ju Z. G.
;
Shan C. X.
;
Jiang D. Y.
;
Zhang J. Y.
;
Yao B.
;
Zhao D. X.
;
Shen D. Z.
;
Fan X. W.
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提交时间:2012/10/21