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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:SCI
出处:Acs Applied Materials & Interfaces
发表日期:2018
文献类型:期刊论文
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Electronic Level Alignment at an Indium Tin OxidePbI2 Interface and Its Applications for Organic Electronic Devices
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 8909-8916
作者:
Song, Q. G.
;
Lin, T.
;
Sun, X.
;
Chu, B.
;
Su, Z. S.
;
Yang, H. S.
;
Li, W. L.
;
Lee, C. S.
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lead iodide
n-type semiconductor
anode buffer layer
organic
electronic devices
light-emitting-diodes
near-infrared photodetectors
field-effect
transistors
transition-metal oxides
hole-injection layer
solar-cells
photovoltaic cells
buffer layer
delayed fluorescence
spectral
response
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Investigation of Interface Effect on the Performance of CH3NH3PbCl3ZnO UV Photodetectors
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 40, 页码: 34744-34750
作者:
Yang, J. L.
;
Liu, K. W.
;
Cheng, Z.
;
Jing, P. T.
;
Ai, Q.
;
Chen, X.
;
Li, B. H.
;
Zhang, Z. Z.
;
Zhang, L. G.
;
Zhao, H. F.
;
Shen, D. Z.
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提交时间:2019/09/17
perovskite
ZnO
UV photodetector
transient absorption
electron
transfer
perovskite solar-cells
lead iodide perovskite
halide perovskite
ultraviolet photodetectors
ch3nh3pbi3
crystallization
passivation
wavelength
mechanism
graphene
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Materials Science