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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4InP grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G.;  Jiang H.;  Cao L.;  Sun X.;  Li D.;  Chen Y.;  Li Z.
Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：647/162  |  提交时间：2012/10/21