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Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:  X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
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Behavior of indium alloying with Cu2ZnSn(S,Se)(4) and its effect on performances of Cu2ZnSn(S,Se)(4)-based solar cell 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 767, 页码: 439-447
作者:  Xiao, Z. Y.;  Luan, H. M.;  Liu, R. J.;  Yao, B.;  Li, Y. F.;  Ding, Z. H.;  Yang, G.;  Deng, R.;  Wang, G.;  Zhang, Z. Z.;  Zhang, L. G.;  Zhao, H. F.
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Cu2ZnSn(S, Se)(4)  Solar cell  Indium alloying  Power conversion  efficiency  thin-film  formation mechanism  precursors  growth  nanoparticles  route  layer  ag  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering  
Sb doping behavior and its effect on crystal structure, conductivity and photoluminescence of ZnO film in depositing and annealing processes 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 17, 页码: 5426-5430
作者:  Yang T.;  Yao B.;  Zhao T. T.;  Xing G. Z.;  Wang H.;  Pan H. L.;  Deng R.;  Sui Y. R.;  Gao L. L.;  Wang H. Z.;  Wu T.;  Shen D. Z.
Adobe PDF(628Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：740/199  |  提交时间：2012/10/21
Interfacial exciplex electroluminescence between diamine derivatives with starburst molecular structure and tris(acetylacetonato)-(mono-phenothroline) thulium 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 470, 期号: 1—2, 页码: 448-451
作者:  He H.;  Li W. L.;  Su Z. S.;  Chu B.;  Bi D. F.;  Chen Y. R.;  Wang D.;  Su W. M.;  Li B.
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Luminescence properties of Ce3+ and Tb3+ doped rare earth borate glasses 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2001, 卷号: 316, 期号: 1—2, 页码: 256-259
作者:  Huang L. H.;  Wang X. J.;  Lin H.;  Liu X. R.
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