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钙钛矿半导体的结构和电学性质研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  陈雪娇
caj(5425Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：257/0  |  提交时间：2020/08/24
无机卤族钙钛矿  密度泛函理论计算  卤族混合合金  Rashba效应  狄拉克锥  
Recent Progress on Cr3+ Doped Broad Band NIR Phosphors 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2019, 卷号: 40, 期号: 12, 页码: 1449-1459
作者:  L.-L.Zhang;  J.-H.Zhang;  Z.-D.Hao;  H.Wu;  G.-H.Pan;  H.-J.Wu;  X.Zhang
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Infrared devices,Diagnosis,Electron-phonon interactions,Imaging techniques,Light,Light emitting diodes,Luminescence,Near infrared spectroscopy,Phosphors  
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide