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Band structures and characteristics of InGaAs/InGaAsP strain-compensated quantum well lasers 期刊论文
Optical and Quantum Electronics, 2001, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 209-223
作者:  Ma C. S.;  Wang L. J.;  Liu S. Y.
Adobe PDF(173Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：478/120  |  提交时间：2012/10/21