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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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研究单元&专题
作者
黎大兵 [1]
孙晓娟 [1]
文献类型
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [1]
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出处
ACS Photon... [1]
资助项目
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EI [1]
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出处:ACS Photonics
作者:黎大兵
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si
期刊论文
ACS Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:
Feng, Meixin
;
Li, Zengcheng
;
Wang, Jin
;
Zhou, Rui
;
Sun, Qian
;
Sun, Xiaojuan
;
Li, Dabing
;
Gao, Hongwei
;
Zhou, Yu
;
Zhang, Shuming
;
Li, Deyao
;
Zhang, Liqun
;
Liu, Jianping
;
Wang, Huaibing
;
Ikeda, Masao
;
Zheng, Xinhe
;
Yang, Hui
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提交时间:2019/09/17
Ultraviolet lasers
Aluminum alloys
Aluminum gallium nitride
Aluminum nitride
Defects
Gallium alloys
III-V semiconductors
Lasers
Lattice mismatch
Quantum well lasers
Semiconductor alloys
Semiconductor quantum wells
Stresses
Thermal expansion