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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Journal of Alloys and Compounds
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Comparative spectroscopic studies of MOCVD grown AlN films on Al2O3 and 6H-SiC
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2021, 卷号: 857, 期号: 13
作者:
J. H. Yin
;
D. H. Chen
;
H. Yang
;
Y. Liu
;
D. N. Talwar
;
T. L. He
;
I. T. Ferguson
;
K. Y. He
;
L. Y. Wan and Z. C. Feng
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提交时间:2022/06/13
Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:
X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
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提交时间:2021/07/06
Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 793, 页码: 599-603
作者:
X.K.Liu
;
K.L.Li
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
Z.H.Huang
;
Z.W.Li
;
L.Min
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提交时间:2020/08/24
Multilayer MoS2,Al2O3 surface,NH3 treatment,Band alignment,field-effect transistor,layer mos2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
p-Type MgZnO thin films grown using N delta-doping by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2010, 卷号: 504, 期号: 2, 页码: 484-487
作者:
Liu W. W.
;
Yao B.
;
Li Y. F.
;
Li B. H.
;
Zhang Z. Z.
;
Shan C. X.
;
Zhang J. Y.
;
Shen D. Z.
;
Fan X. W.
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提交时间:2012/10/21