Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 532 nm响应增强的AlGaAs光电阴极 | |
王东智; 张益军; 李诗曼; 童泽昊; 唐嵩; 石峰; 焦岗成; 程宏昌; 富容国; 钱芸生; 曾玉刚
| |
| 2024 | |
| 发表期刊 | 物理学报
 |
| 卷号 | 73期号:11页码:374-382 |
| 摘要 | AlGaAs光电阴极具有响应速度快和光谱响应范围可调的特性,可被应用于水下光通信领域.为了解决AlGaAs发射层较低的光吸收限制其量子效率提高的问题,利用分布式布拉格反射镜（DBR）结构对特定波长光的反射作用,将透过光重新反射回发射层进一步提高吸收率,从而增强阴极在532 nm波长处的响应能力.通过求解一维连续性方程,建立了具有DBR结构的AlGaAs光电阴极光谱响应模型.采用时域有限差分法,分析了DBR结构中子层周期对数、子层材料以及发射层、缓冲层厚度对发射层吸收率的影响,对比了有无DBR结构AlGaAs光电阴极的光吸收分布.结果表明,周期对数为20、子层材料为Al0.7Ga0.3As/AlAs的DBR结构对532 nm光的反射效果最优.基于该DBR结构,发射层和缓冲层厚度分别为495 nm和50 nm时,发射层对532 nm光具有最佳吸收率.通过对外延生长的AlGaAs光电阴极进行激活实验,结果表明具有DBR结构的AlGaAs光电阴极在532 nm波长处的光谱响应率相比无DBR结构的AlGaAs光电阴极光谱响应率提升了约1倍. |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/68710 |
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 作者单位 | 1.南京理工大学电子工程与光电技术学院 2.微光夜视技术重点实验室 3.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王东智,张益军,李诗曼,等. 532 nm响应增强的AlGaAs光电阴极[J]. 物理学报,2024,73(11):374-382. |
| APA | 王东智.,张益军.,李诗曼.,童泽昊.,唐嵩.,...&曾玉刚.(2024).532 nm响应增强的AlGaAs光电阴极.物理学报,73(11),374-382. |
| MLA | 王东智,et al."532 nm响应增强的AlGaAs光电阴极".物理学报 73.11(2024):374-382. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 532 nm响应增强的AlGaAs光电阴（1603KB） | 期刊论文 | 出版稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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