Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| InGaN_GaN量子阱悬空微盘发光二极管（英文） | |
朱刚毅; 宁波; 仇国庆; 郭春祥; 杨颖; 李欣; 李炳辉 ; 施政; 戴俊; 秦飞飞; 王永进
| |
| 2024 | |
| 发表期刊 | 光子学报
 |
| 卷号 | 53期号:05页码:212-219 |
| 摘要 | 设计并制备了三种不同结构的电泵浦InGaN/GaN量子阱微盘发光器件，对其光增益和光损耗进行了分析和优化。以p型层的结构为分类标准，器件Ⅰ为圆柱形；器件Ⅱ为器件Ⅰ的悬空结构；器件Ⅲ是悬空的圆环形结构。实验和仿真结果表明，三种器件结构中，器件Ⅱ的结果最好。电极布局为内p外n型的圆柱形器件表面电流分布能够保证发光区和微腔高增益区重合，悬空结构能够降低微盘在垂直方向上的光损耗，有利于更好的光学增益。考虑到共振模式，器件Ⅱ在注入电流大于0.7 mA时，器件Ⅱ实现了峰值波长为408.2 nm、半峰宽为2.62 nm的振荡模式输出。这种电泵浦InGaN/GaN量子阱悬浮微盘二极管器件的设计思路对电泵浦微盘或微环激光器的研制具有重要参考意义。 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/68687 |
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 作者单位 | 1.南京邮电大学通信与信息工程学院 2.江苏鲁汶仪器有限公司 3.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 4.江苏科技大学理学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱刚毅,宁波,仇国庆,等. InGaN_GaN量子阱悬空微盘发光二极管（英文）[J]. 光子学报,2024,53(05):212-219. |
| APA | 朱刚毅.,宁波.,仇国庆.,郭春祥.,杨颖.,...&王永进.(2024).InGaN_GaN量子阱悬空微盘发光二极管（英文）.光子学报,53(05),212-219. |
| MLA | 朱刚毅,et al."InGaN_GaN量子阱悬空微盘发光二极管（英文）".光子学报 53.05(2024):212-219. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| InGaN_GaN量子阱悬空微盘发光二极（1867KB） | 期刊论文 | 出版稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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