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小闪耀角单晶硅光栅结构参数优化及制备工艺
徐昊宇; 姜岩秀; 陈星硕; 王瑞鹏; 张靖; 巴音贺希格
2024-09-15
发表期刊中国光学(中英文)
卷号17期号:05页码:1139-1149
摘要本文开展了对单晶硅小闪耀角光栅的各向异性湿法刻蚀制备工艺研究,制备了适用于软X射线中波波段的闪耀光栅,以满足国家同步辐射光源的需要。首先,基于严格耦合波法对小闪耀角光栅进行了结构参数优化及工艺容差分析。在晶向对准过程中,先通过环形预刻蚀确定硅片晶向,再基于倍频调整法实现光栅掩模与单晶硅<111>晶向的对准。研究了光刻胶灰化技术及活性剂对光栅槽形质量的影响,并通过单晶硅各向异性湿法刻蚀工艺成功制备了接近于理想锯齿槽形的闪耀光栅。实验结果证明:所制备光栅闪耀角为1°,刻线密度为1 200 gr/mm,闪耀面均方根粗糙度在0.5 nm以内。此方法可以应用于软X射线中波波段闪耀光栅的制作,在获得较高衍射效率的同时可以大大减少制作难度及成本。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/68633
专题中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
作者单位1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
2.中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
徐昊宇,姜岩秀,陈星硕,等. 小闪耀角单晶硅光栅结构参数优化及制备工艺[J]. 中国光学(中英文),2024,17(05):1139-1149.
APA 徐昊宇,姜岩秀,陈星硕,王瑞鹏,张靖,&巴音贺希格.(2024).小闪耀角单晶硅光栅结构参数优化及制备工艺.中国光学(中英文),17(05),1139-1149.
MLA 徐昊宇,et al."小闪耀角单晶硅光栅结构参数优化及制备工艺".中国光学(中英文) 17.05(2024):1139-1149.
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