532 nm纳秒脉冲激光对CCD_CMOS的干扰效果对比研究

CIOMP OpenIR

	532 nm纳秒脉冲激光对CCD_CMOS的干扰效果对比研究
	赵泽; 王春锐; 王锐; 郭劲; 郑长彬
	2024
发表期刊	激光技术
卷号	49 期号:04 页码:507-512
摘要	为了研究电荷耦合器件（CCD）和互补金属氧化物半导体（CMOS）两种典型图像传感器在532 nm纳秒脉冲激光作用下的干扰效果，基于ISO-21254的测试方法，分别在大气和真空环境下开展了532 nm纳秒脉冲激光干扰CCD和CMOS的实验研究；对比分析了50 ms的曝光时间内，不同作用脉冲数对干扰效果的影响，并对比了大气与真空条件下的干扰效果。结果表明，532 nm纳秒激光对CCD和CMOS具有明显的干扰效应，均出现了光学饱和现象，且CCD存在“反饱和”与“饱和串音”现象；随着作用脉冲数的增加，饱和像素数随激光能量密度线性增长，且作用脉冲数越多，增长速度越快；CCD在真空中的干扰效果优于大气中的，而CMOS在大气中的干扰效果更为明显，且CMOS比CCD具有更好的抗532 nm纳秒脉冲激光干扰的能力。此研究结果为实际应用环境中探测器的选择提供了参考依据。
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/68598
专题	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
第一作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵泽,王春锐,王锐,等. 532 nm纳秒脉冲激光对CCD_CMOS的干扰效果对比研究[J]. 激光技术,2024,49(04):507-512.
APA	赵泽,王春锐,王锐,郭劲,&郑长彬.(2024).532 nm纳秒脉冲激光对CCD_CMOS的干扰效果对比研究.激光技术,49(04),507-512.
MLA	赵泽,et al."532 nm纳秒脉冲激光对CCD_CMOS的干扰效果对比研究".激光技术 49.04(2024):507-512.

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532 nm纳秒脉冲激光对CCD_CMO（1150KB）	期刊论文	出版稿	开放获取	CC BY-NC-SA	浏览下载