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A comparative study of front- and back-illuminated planar InGaAs/InP avalanche photodiodes
Y. R. Chen; Z. W. Zhang; G. Q. Miao; H. Jiang and H. Song
2022
发表期刊Materials Letters
ISSN0167-577X
卷号308期号:4
摘要In this work, a planar In0.53Ga0.47As/InP avalanche photodiode (APD) working in both front- and back-illumination modes is fabricated for a comparative study. The great differences in the electrical and spectral performances between the two operating approaches can be originated from the PIN junction in the InP cap layer with high electric field, which plays the role of short-wavelength photoelectric conversion before the InP multiplication layer punches through under front-illumination.
DOI10.1016/j.matlet.2021.131144
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收录类别SCI
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/65104
专题中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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GB/T 7714
Y. R. Chen,Z. W. Zhang,G. Q. Miao,et al. A comparative study of front- and back-illuminated planar InGaAs/InP avalanche photodiodes[J]. Materials Letters,2022,308(4).
APA Y. R. Chen,Z. W. Zhang,G. Q. Miao,&H. Jiang and H. Song.(2022).A comparative study of front- and back-illuminated planar InGaAs/InP avalanche photodiodes.Materials Letters,308(4).
MLA Y. R. Chen,et al."A comparative study of front- and back-illuminated planar InGaAs/InP avalanche photodiodes".Materials Letters 308.4(2022).
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