Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究 | |
| 曲杨; 王欣洋; 周泉; 常玉春 | |
| 2020 | |
| 发表期刊 | 半导体光电
 |
| 卷号 | 41期号:02页码:169-172 |
| 摘要 | 时间延时积分CMOS图像传感器(TDI-CIS)具有优良的微光探测能力,可应用于航空探测及卫星遥感等领域。然而,在入射光强较强时,TDI-CIS容易出现光晕(Blooming)现象,影响观测效果。首先分析了光晕产生的机理;然后基于两种传统的抗晕结构,设计出一种具有沿垂直方向布局的长方形横向抗晕栅的TDI-CIS;通过成像实验发现横向抗晕栅极电压与抗晕效果及满阱容量(FWC)之间呈负相关关系;最后通过实验得到所设计TDI-CIS的最优抗晕栅极电压值为2.1V。 |
| 关键词 | 时间延时积分 CMOS 光晕 横向抗晕栅 满阱容量 |
| URL | 查看原文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/63994 |
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 作者单位 | 1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 2.中国科学院大学 3.长光辰芯光电技术有限公司 4.大连理工大学微电子学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曲杨,王欣洋,周泉,等. TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究[J]. 半导体光电,2020,41(02):169-172. |
| APA | 曲杨,王欣洋,周泉,&常玉春.(2020).TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究.半导体光电,41(02),169-172. |
| MLA | 曲杨,et al."TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究".半导体光电 41.02(2020):169-172. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容（586KB） | 期刊论文 | 出版稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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