量子点发光二极管的性能优化研究

CIOMP OpenIR

	量子点发光二极管的性能优化研究
	唐兆兵
学位类型	博士
导师	蒋大鹏 ; 刘星元
	2018
学位授予单位	中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)
学位授予地点	中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)
学位名称	博士
关键词	量子点发光二极管透明导电薄膜顶发射空间限制电流溶液法
摘要	由于具有发光光谱可调、发光色纯度高、光致发光效率高、光化学稳定性及热稳定性好等优点,胶体半导体量子点材料已经被广泛应用在显示领域。而以量子点材料为发光材料的量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diodes,QLEDs),比有机发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)具有更大的优越性,比如:色域更宽、显色指数更高、溶液加工性能更好等,使其在新一代显示和照明领域的应用前景巨大。目前,QLEDs的外量子效率(external quantum efficiency,EQE)已经接近当前性能最好的OLEDs。国内外从事照明显示的一些大公司,如三星(Sumsung)、京东方(BOE)等均表示已实现基于QLEDs的显示屏样品。因此,研究QLEDs器件性能的优化以及制备工艺的提升,有助于加快其市场应用的速度,具有重要意义。本论文以提升QLEDs器件的性能为研究出发点,深入探讨了电极、器件结构、制备工艺对量子点电致发光器件的影响,在高性能透明电极的制备及应用、结构设计、器件效率等方面进行了深入的研究。本论文的主要研究内容如下:1.利用磁控溅射技术(MST)制备了高性能的Al掺杂Zn O(AZO)透明导电薄膜,并首次将其应用于倒置结构的绿光QLEDs中。相比于商业ITO,AZO作为阴极与作为电子传输层的Zn O纳米颗粒层更易形成欧姆接触,提升电子注入效率。利用空间电荷限制电流理论、UPS和XPS的能带和电子态测试结果均证明了该结论。2.首次采用全溶液成膜法实现了以Al为底电极的顶发射绿光QLEDs,通过使用溶液法制备了高质量的阳极空穴注入(HIL)界面层及功能层。在弱化微腔效应后,实现了近郎伯辐射体的发光,该顶发射器件发光性能优异并应用在了主动发光的模块化数字显示样品中。3.为了获得三基色QLEDs器件,我们制备了红光和蓝光的QLEDs器件。红光QLEDs采用磁控技术生长的叠层透明电极Sn O2/Ag/Sn O2实现了器件较好的发光。蓝光QLEDs采用倒置的器件结构来优化器件性能,取得了初步结果。4.探索研究了基于PET的柔性QLEDs,采用全溶液的加工方法制备了性能较好的绿光柔性QLEDs,并研究了其弯折性能。同时,本文探索了新型的钙钛矿发光二极管的制备工艺,采用溶液法制备无机钙钛矿发光二极管,器件最大亮度超过55000 cd/m2,最大电流效率超过20 cd/A,综合性能优越。
文献类型	学位论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/61668
专题	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	唐兆兵. 量子点发光二极管的性能优化研究[D]. 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所). 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所),2018.

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量子点发光二极管的性能优化研究.caj（5135KB）	学位论文		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文