| 微型倒装AlGaInP发光二极管阵列器件的光电性能 |
| 班章; 梁静秋 ; 吕金光; 李阳
|
| 2018
|
| 发表期刊 | 光学学报
|
| 期号 | 09页码:323-330 |
| 摘要 | 为进一步提高红光微型发光二极管(LED)阵列器件的能量利用效率,对倒装AlGaInP LED阵列器件的光电性能进行研究。首先,测试对比了垂直型和倒装型AlGaInP LED两种芯片结构的出光性能,表明倒装型LED具有更高的出光功率。其次,建立了倒装型LED阵列出光功率模型,计算得到了出光功率与环境温度、基底热阻的关系:随基底热阻增大、环境温度升高,AlGaInP LED阵列器件的出光功率逐渐降低,出光饱和处对应的注入电流前移,光电性能逐渐下降。然后,采用转印法制备了6×6倒装AlGaInP LED阵列,测试结果表明,理论与实测结果较为一致。最后,利用有限元软件计算分析了Cu和聚二甲基硅氧烷(PDMS)这两种常见基底的热阻随环境、结构变化的数值关系。结果显示:Cu基底的散热较为均匀,优化基底结构或增加空气对流速率,对Cu基底热阻值的改变相对较小;PDMS材料的散热均匀性相对较差,通过优化基底结构、增大空气对流速率可以有效降低基底热阻,改善微型LED阵列器件的光电性能。 |
| 关键词 | 光学器件
微型
倒装
红光
AlGaInP发光二极管阵列
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/61487
|
| 专题 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
班章,梁静秋,吕金光,等. 微型倒装AlGaInP发光二极管阵列器件的光电性能[J]. 光学学报,2018(09):323-330.
|
| APA |
班章,梁静秋,吕金光,&李阳.(2018).微型倒装AlGaInP发光二极管阵列器件的光电性能.光学学报(09),323-330.
|
| MLA |
班章,et al."微型倒装AlGaInP发光二极管阵列器件的光电性能".光学学报 .09(2018):323-330.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论