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柱式平板声子晶体点缺陷模式研究
黄翔宇; 刘永顺; 舒风风; 武俊峰; 吴一辉
2017-04-15
发表期刊压电与声光
页码198-201
摘要柱式平板声子晶体结构有利于实现质量加载和液相检测,该文提出并制备一种柱式平板声子晶体点缺陷。采用有限元法进行禁带计算分析,仿真出该声子晶体点缺陷模式的振型。采用微机电系统(MEMS)工艺制备出硅基AlN声波传感器,通过电极构型的模式选择对选定点缺陷模式的性能进行了测试分析。结果表明,通过合理设计激励电极可获得较高频率声子晶体点缺陷模式。实验中选择激发的模式频率为7.732 MHz,其对应空气中品质因数Q=700,这为实现液相检测提供了理论基础和实验依据。
关键词声子晶体 柱式平板 点缺陷 选择性激励 工艺加工
DOIC7DBEBF65D3B769588AD164BABCAE9FA
语种中文
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/58417
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
黄翔宇,刘永顺,舒风风,等. 柱式平板声子晶体点缺陷模式研究[J]. 压电与声光,2017:198-201.
APA 黄翔宇,刘永顺,舒风风,武俊峰,&吴一辉.(2017).柱式平板声子晶体点缺陷模式研究.压电与声光,198-201.
MLA 黄翔宇,et al."柱式平板声子晶体点缺陷模式研究".压电与声光 (2017):198-201.
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