Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| AlGaInP材料LED微阵列热学特性分析 | |
李贺; 梁静秋 ; 梁中翥; 田超; 秦余欣; 吕金光; 王维彪
| |
| 2016-01-10 | |
| 发表期刊 | 光学学报
 |
| 期号 | 1页码:254-261 |
| 摘要 | 发光二极管(LED)微阵列芯片在工作时积累的热量使结温过高,进而对LED微阵列芯片造成一系列不利影响,严重降低LED微阵列芯片工作的可靠性,甚至造成永久性损坏。散热问题是制约LED微阵列芯片工作性能提高的关键因素,是LED微阵列芯片在制备过程中亟待解决的问题之一。利用有限元分析软件,针对AlGaInP材料LED微阵列建立了有限元模型,详细介绍了实体模型建立、网格划分以及边界条件的施加方法。瞬态分析了在脉冲电流驱动下,单个单元和3×3单元工作时阵列的温度场分布,以及温度随时间的变化规律。为了改善阵列芯片的散热性能,设计了一种热沉结构,模拟分析了热沉结构对阵列温度分布的影响。 |
| 关键词 | 光学器件 热学特性 有限元分析 发光二极管微阵列 热沉 Algainp |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/58147 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李贺,梁静秋,梁中翥,等. AlGaInP材料LED微阵列热学特性分析[J]. 光学学报,2016(1):254-261. |
| APA | 李贺.,梁静秋.,梁中翥.,田超.,秦余欣.,...&王维彪.(2016).AlGaInP材料LED微阵列热学特性分析.光学学报(1),254-261. |
| MLA | 李贺,et al."AlGaInP材料LED微阵列热学特性分析".光学学报 .1(2016):254-261. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| AlGaInP材料LED微阵列热学特性分（1518KB） | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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