780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究

	780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究
	贾鹏; 秦莉; 陈泳屹; 李秀山; 张俊; 张建; 张星; 宁永强
	2016-02-15
发表期刊	半导体光电
期号	1 页码:27-29+44
摘要	为了获得高功率高光束质量激光输出,设计并制备了一种780nm波段5发光单元列阵器件,其采用10μm宽窄条形波导,各发光单元中心间距为100μm,填充因子仅为10%。在准连续注入电流由1.2A增加到2.5A条件下,该器件的输出光束侧向光学参量积由0.666mm·mrad增加至0.782mm·mrad。注入电流为2.5A时,该器件实现了单边准连续506mW的高光束质量激光输出。
关键词	半导体激光器列阵低填充因子侧向光学参量积
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57865
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	贾鹏,秦莉,陈泳屹,等. 780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究[J]. 半导体光电,2016(1):27-29+44.
APA	贾鹏.,秦莉.,陈泳屹.,李秀山.,张俊.,...&宁永强.(2016).780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究.半导体光电(1),27-29+44.
MLA	贾鹏,et al."780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究".半导体光电 .1(2016):27-29+44.