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低偏置电流下半导体激光器1/f噪声的相关性
吴璇子; 郭树旭; 羊超; 关健; 田超; 曹军胜; 郜峰利
2016
发表期刊光子学报
期号6
摘要测量了高功率976nm InGaAs量子阱半导体激光器在低于1/30阈值电流下的低频电噪声,提出了以1/f噪声时域信号小波系数相关性与电流的关系来分析噪声来源的方法.结合1/f噪声源理论模型及小波变换系数的特性,完成了不同偏置电流下纯1/f噪声、加白噪声后的1/f噪声两种情况下的对比实验.实验结果表明:所测的低频噪声表现为明显的1/f噪声,对于纯1/f噪声,噪声幅度和小波系数相关性在判断噪声来源时具有相同的结果;对于加白噪声后的1/f噪声,噪声幅度变化很大且不能正确表征1/f噪声来源,而部分尺度下的小波系数相关性仍能作为判断噪声来源的可靠参量.
关键词半导体激光器 可靠性 相关性 1/f噪声 稳定性 小波变换 偏置电流
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57781
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
吴璇子,郭树旭,羊超,等. 低偏置电流下半导体激光器1/f噪声的相关性[J]. 光子学报,2016(6).
APA 吴璇子.,郭树旭.,羊超.,关健.,田超.,...&郜峰利.(2016).低偏置电流下半导体激光器1/f噪声的相关性.光子学报(6).
MLA 吴璇子,et al."低偏置电流下半导体激光器1/f噪声的相关性".光子学报 .6(2016).
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