复合二维材料C_2N/Graphene的结构与电子特性研究

	复合二维材料C_2N/Graphene的结构与电子特性研究
	王丹丹; 韩冬雪; 刘雷; 牛利
	2016-07-01
摘要	石墨烯的零带隙极大地限制了其在场效应晶体管中的应用。研究发现,由衬底如SiC~([1])、hBN~([2])等导致的石墨烯晶格对称破却可以将石墨烯带隙打开。本文中,我们考虑另外一种新型的二维材料C_2N~([3,4]),将其与石墨烯复合,C_2N衬底与石墨烯的相互作用使石墨烯的带隙从0变为0.4eV。改变石墨烯与C_2N之间的距离,石墨烯的带隙会发生变化,距离越小,从石墨烯向C_2N衬底转移的电子量越多,石墨烯的带隙越大。这一非零带隙的实现为石墨烯在场效应晶体管中的应用提供了新的思路。分析复合材料的电子结构发现,C_2N层的带隙变化较小,其导带底、价带顶位置与光催化水解的氧化还原电位匹配,因此该复合材料有望于用于光催化水解领域。
关键词	二维复合材料石墨烯带隙打开电子特性
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57707
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	王丹丹,韩冬雪,刘雷,等. 复合二维材料C_2N/Graphene的结构与电子特性研究[J],2016.
APA	王丹丹,韩冬雪,刘雷,&牛利.(2016).复合二维材料C_2N/Graphene的结构与电子特性研究..
MLA	王丹丹,et al."复合二维材料C_2N/Graphene的结构与电子特性研究".(2016).