小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究

	小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究
	焦庆斌
	2015-06-15
发表期刊	长春工业大学学报
期号	03 页码:288-292
摘要	为降低硅中阶梯光栅制作工艺中顶角平台对光栅衍射效率的影响,提出了紫外曝光-倒置热熔结合法用于制备具有小占宽比的光刻胶掩模,对中阶梯光栅设计、硅基片准备以及光刻胶掩模制备等环节进行了研究。AFM测试结果表明,可以制备占宽比为1∶5的光刻胶掩模,远远超出光栅理论设计中对顶角平台尺寸的要求。
关键词	紫外曝光倒置热熔硅中阶梯光栅湿法刻蚀
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/54151
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	焦庆斌. 小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究[J]. 长春工业大学学报,2015(03):288-292.
APA	焦庆斌.(2015).小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究.长春工业大学学报(03),288-292.
MLA	焦庆斌."小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究".长春工业大学学报 .03(2015):288-292.