Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响 | |
李秀山; 宁永强 ; 张星; 贾鹏; 秦莉; 刘云; 王立军
| |
| 2015-08-15 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| 期号 | 08页码:930-934 |
| 摘要 | 对于顶面出光的浅面浮雕VCSEL结构,有源区的电流密度分布的不均性制约着单模稳定性的提高。为此,提出了一种新型结构:氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)浅面浮雕VCSEL。该结构不仅能够增大高阶模式的阈值增益,还能够提高基模的增益,实现基模对高阶模式的稳定抑制。研究了ITO的厚度对阈值增益的影响及ITO对VCSEL有源区电流密度分布的影响。研究结果表明:在ITO的厚度为半波长的整数倍时,基模对高阶模式的限制作用最强;ITO通过改善VCSEL有源区的电流密度分布,达到了增大基模的增益和降低高阶模式增益的目的,同时还降低了串联电阻和外电压。 |
| 关键词 | 垂直腔面发射半导体激光器 透明导电薄膜 浅面浮雕 单模 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/54117 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李秀山,宁永强,张星,等. 透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响[J]. 发光学报,2015(08):930-934. |
| APA | 李秀山.,宁永强.,张星.,贾鹏.,秦莉.,...&王立军.(2015).透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响.发光学报(08),930-934. |
| MLA | 李秀山,et al."透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响".发光学报 .08(2015):930-934. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的（514KB） | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [李秀山]的文章 |
| [宁永强]的文章 |
| [张星]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [李秀山]的文章 |
| [宁永强]的文章 |
| [张星]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [李秀山]的文章 |
| [宁永强]的文章 |
| [张星]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论