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碳化硅基底改性硅表面的磁流变抛光
白杨; 张峰; 李龙响; 郑立功; 张学军
2015-03-10
发表期刊光学学报
期号03页码:316-323
摘要为克服传统抛光方法在硅改性的碳化硅表面抛光存在的不足,采用磁流变抛光在精抛光阶段实现面形误差高效去除和快速收敛。基于实际应用中的对磁流变抛光液的需求,提出了磁流变液的性能要求,并配制了适合改性硅表面抛光的磁流变抛光液,检测所配制的抛光液体的流变特性和分散稳定性,证明了液体具有良好的性能。对口径为130 mm(有效口径为120 mm)的硅改性的同轴非球面碳化硅工件进行实际抛光。经过两个周期约3 h的抛光,面形误差均方根(RMS)从0.051λ(λ=632.8 nm)快速收敛至0.012λ,粗糙度Ra达0.618 nm。验证了所配制的磁流变抛光液满足碳化硅基底改性硅表面的抛光需求,证明了磁流变抛光技术在镜面硅改性后精抛光阶段具有独特的优势。
关键词材料 表面改性硅 碳化硅 精抛光 磁流变抛光 非球面
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/54102
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
白杨,张峰,李龙响,等. 碳化硅基底改性硅表面的磁流变抛光[J]. 光学学报,2015(03):316-323.
APA 白杨,张峰,李龙响,郑立功,&张学军.(2015).碳化硅基底改性硅表面的磁流变抛光.光学学报(03),316-323.
MLA 白杨,et al."碳化硅基底改性硅表面的磁流变抛光".光学学报 .03(2015):316-323.
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