Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术 | |
| 焦庆斌 | |
| 2015-08-15 | |
| 发表期刊 | 长春工业大学学报
 |
| 期号 | 04页码:390-394 |
| 摘要 | 建立了单晶硅中阶梯光栅湿法刻蚀全工艺过程,并对该工艺所涉及的光刻胶掩模制备、氧化层掩膜制备以及单晶硅湿法刻蚀等环节进行了研究。利用该工艺制作了口径为20mm×20mm的中阶梯光栅,其在入射波长532nm,Littrow方式入射时,-42级衍射效率大于70%。 |
| 关键词 | 硅中阶梯光栅 湿法刻蚀 衍射效率 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53648 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 焦庆斌. 硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术[J]. 长春工业大学学报,2015(04):390-394. |
| APA | 焦庆斌.(2015).硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术.长春工业大学学报(04),390-394. |
| MLA | 焦庆斌."硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术".长春工业大学学报 .04(2015):390-394. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术.caj（225KB） | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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