Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析 | |
张航 ; 刘栋斌; 李帅; 孙振亚; 王文全
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| 2015-01-15 | |
| 发表期刊 | 传感技术学报
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| 期号 | 01页码:19-22 |
| 摘要 | 针对Xenics公司的一款In Ga As探测器,根据载荷工作环境要求,轨道高度700km,在轨工作3年的总剂量辐射为2krad(Si),技术指标要求探测器的抗总剂量辐射能力要在10 krad(Si)以上。因此对其进行总剂量为30 krad(Si)的60Co-γ辐射试验[1-2]。对比辐照前后探测器的参数变化,发现随着总剂量的增加,探测器的暗电流有所增大,响应度有所降低,整体性能略有下降,但满足指标要求。分析γ辐射对探测器影响的内在机理,为后续In Ga As探测器抗总剂量辐射加固提供依据和参考。 |
| 关键词 | Ingaas探测器 损伤机理 总剂量辐射 暗电流 响应度 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53374 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张航,刘栋斌,李帅,等. InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析[J]. 传感技术学报,2015(01):19-22. |
| APA | 张航,刘栋斌,李帅,孙振亚,&王文全.(2015).InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析.传感技术学报(01),19-22. |
| MLA | 张航,et al."InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析".传感技术学报 .01(2015):19-22. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析（590KB） | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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