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2 μm GaSb基低垂直发散角布拉格反射波导激光器优化设计
戎佳敏; 邢恩博; 赵帅; 汪丽杰; 王立军; 佟存柱
2015-12-15
发表期刊发光学报
期号12页码:1434-1439
摘要为实现2μm低发散角激光,提出在Ga Sb基半导体激光器中引入布拉格反射波导,利用光子带隙效应替代传统的全反射进行光场限制。研究了分布反馈反射镜(DBR)的厚度、对数、高低折射率DBR厚度比以及中心腔厚度等参数对激光器垂直远场发散角和光限制因子的影响。结果表明:垂直远场发散角随单对DBR厚度的增加而减小;光限制因子与远场发散角都随拉格反射镜对数的增加而减小,随高低折射率DBR厚度比的减小而增大;随着中心层厚度的增大,光限制因子减小而远场发散角增大。最终在理论上优化设计出了一种双边布拉格反射波导结构的超低垂直发散角2μm Ga Sb基边发射半导体激光器,其垂直远场发散角可降低到10°以下。
关键词中红外半导体激光器 Gasb 布拉格反射波导 低垂直发散角
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53348
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
戎佳敏,邢恩博,赵帅,等. 2 μm GaSb基低垂直发散角布拉格反射波导激光器优化设计[J]. 发光学报,2015(12):1434-1439.
APA 戎佳敏,邢恩博,赵帅,汪丽杰,王立军,&佟存柱.(2015).2 μm GaSb基低垂直发散角布拉格反射波导激光器优化设计.发光学报(12),1434-1439.
MLA 戎佳敏,et al."2 μm GaSb基低垂直发散角布拉格反射波导激光器优化设计".发光学报 .12(2015):1434-1439.
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