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离子束刻蚀光栅掩模图形转移分析
吴娜
2014-12-15
发表期刊长春工业大学学报(自然科学版)
期号6页码:628-632
摘要依据特征曲线法推导出非晶体表面的离子束刻蚀模拟方程;结合全息光栅的刻蚀特点开发出离子束刻蚀模拟程序。模拟程序获得的模拟刻蚀参数可以用于类矩形光栅的刻蚀工艺参数设计,准确地描述不同工艺过程、工艺参数对最终刻蚀结果的影响,进而实现离子束刻蚀过程的可控性和可预知性。
关键词衍射效率 刻蚀模拟 全息光栅
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43633
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
吴娜. 离子束刻蚀光栅掩模图形转移分析[J]. 长春工业大学学报(自然科学版),2014(6):628-632.
APA 吴娜.(2014).离子束刻蚀光栅掩模图形转移分析.长春工业大学学报(自然科学版)(6),628-632.
MLA 吴娜."离子束刻蚀光栅掩模图形转移分析".长春工业大学学报(自然科学版) .6(2014):628-632.
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