In_(0.82)Ga_(0.18)As材料的低温电学性质研究

	In_(0.82)Ga_(0.18)As材料的低温电学性质研究
	刘霞; 曹连振; 蒋红; 宋航
	2014
发表期刊	低温物理学报
期号	6 页码:450-454
摘要	利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,采用两步生长及缓冲层热退火处理在InP衬底上制备了高质量的In0.82Ga0.18As外延材料.研究了缓冲层退火前后In0.82Ga0.18As外延材料的低温电学性质,通过变温霍尔效应测试得到了载流子的浓度和迁移率随温度变化的关系,并利用位错散射、极化光学声子散射等对实验数据进行了拟合.结果表明,实验值与理论值符合较好,在较低温度下(<150K),位错散射起主要作用,而在较高的温度下(>250K),极化光学声子散射占主要地位.
关键词	In0.82ga0.18as 变温霍尔效应散射机制
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43473
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	刘霞,曹连振,蒋红,等. In_(0.82)Ga_(0.18)As材料的低温电学性质研究[J]. 低温物理学报,2014(6):450-454.
APA	刘霞,曹连振,蒋红,&宋航.(2014).In_(0.82)Ga_(0.18)As材料的低温电学性质研究.低温物理学报(6),450-454.
MLA	刘霞,et al."In_(0.82)Ga_(0.18)As材料的低温电学性质研究".低温物理学报 .6(2014):450-454.