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器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文)
雷达; 孟根其其格; 红鸽; 陈雷锋; 梁静秋; 王维彪
2014-10-15
发表期刊光子学报
期号10页码:52-59
摘要基于电场叠加原理,利用悬浮球模型给出了带栅极纳米管顶端电场与电场增强因子,分析了碳纳米管与衬底之间的接触电阻、器件几何参量以及阴栅极之间的电介质对器件场发射性能的影响.结果表明:接触电阻大大降低了碳纳米管阴极的场发射电流,当接触电阻超过100kΩ时,发射电流密度非常小,此时需要更高的阳极开启电压;当阴栅极之间的电介质为真空时,阴极电子发射性能最佳;除了碳纳米管的长径比之外,栅孔半径、阴栅极间距以及阳极距离等的优化设计,也能提高器件发射性能;通过栅极偏压的调制,可以降低阳极驱动电压.
关键词碳纳米管 冷阴极 悬浮球 场发射 接触电阻 电介质
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43452
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
雷达,孟根其其格,红鸽,等. 器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文)[J]. 光子学报,2014(10):52-59.
APA 雷达,孟根其其格,红鸽,陈雷锋,梁静秋,&王维彪.(2014).器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文).光子学报(10),52-59.
MLA 雷达,et al."器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文)".光子学报 .10(2014):52-59.
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