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阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究
曹军胜
2014-03-15
发表期刊激光杂志
期号3页码:42258
摘要采用电导数方法提取了半导体激光器阵列的结特征参量m,并对阵列结特征参量m与器件可靠性的关系进行了理论与实验研究,结果表明:m值可以作为阵列可靠性检测的一个重要判据,同一批次的阵列器件中,m值大的器件属于低可靠性器件;阵列m值大则说明单元m值大,或阵列存在严重电流泄漏通道,或阵列单元一致性差等。
关键词半导体激光器 电导数 可靠性
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43228
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
曹军胜. 阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究[J]. 激光杂志,2014(3):42258.
APA 曹军胜.(2014).阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究.激光杂志(3),42258.
MLA 曹军胜."阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究".激光杂志 .3(2014):42258.
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