Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究 | |
曹军胜![]() | |
2014-03-15 | |
发表期刊 | 激光杂志
![]() |
期号 | 3页码:42258 |
摘要 | 采用电导数方法提取了半导体激光器阵列的结特征参量m,并对阵列结特征参量m与器件可靠性的关系进行了理论与实验研究,结果表明:m值可以作为阵列可靠性检测的一个重要判据,同一批次的阵列器件中,m值大的器件属于低可靠性器件;阵列m值大则说明单元m值大,或阵列存在严重电流泄漏通道,或阵列单元一致性差等。 |
关键词 | 半导体激光器 电导数 可靠性 |
语种 | 中文 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43228 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹军胜. 阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究[J]. 激光杂志,2014(3):42258. |
APA | 曹军胜.(2014).阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究.激光杂志(3),42258. |
MLA | 曹军胜."阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究".激光杂志 .3(2014):42258. |
条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究.c(324KB) | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[曹军胜]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[曹军胜]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[曹军胜]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论