Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器 | |
李秀山; 宁永强; 贾鹏; 陈泳屹; 张星; 张建伟; 张建; 刘云; 秦莉; 王立军 | |
2014-12-10 | |
发表期刊 | 中国激光 |
期号 | 12页码:28-33 |
摘要 | 为实现垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)大功率窄线宽输出,设计了浅面浮雕矩形台面结构的垂直腔面发射激光器(SR VCSEL)。电流密度分布会影响模式的分布,模拟结果表明,矩形台面VCSEL相比于圆形台面VCSEL,在有源区面积增大的情况下,电流密度分布不变。在矩形台面VCSEL出光孔表面刻蚀浅面浮雕后,高阶模式比基模的阈值增益的变化大,基模对高阶模式的抑制增强。理论结果表明,矩形浅面浮雕结构的VCSEL能够实现对高阶模式的抑制,测试结果得到连续输出为5.87mW,光谱宽度为0.1nm,功率偏振度为10,横向模式抑制比超过30dB的窄线宽输出。 |
关键词 | 激光器 半导体激光器 矩形台面 浅面浮雕 |
语种 | 中文 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43133 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李秀山,宁永强,贾鹏,等. 浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器[J]. 中国激光,2014(12):28-33. |
APA | 李秀山.,宁永强.,贾鹏.,陈泳屹.,张星.,...&王立军.(2014).浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器.中国激光(12),28-33. |
MLA | 李秀山,et al."浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器".中国激光 .12(2014):28-33. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器(384KB) | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 |
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