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SiC/SiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究
刘霞; 曹连振; 蒋红; 宋航
2014-06-15
发表期刊光电子.激光
期号6页码:1115-1118
摘要采用简单的气固反应,在Si衬底上成功制备了SiC一维纳米材料。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线电子能谱(EDX)、X射线衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)等手段研究了材料的表面形貌、结构组成和光学性质。研究结果表明,制备的纳米材料为SiC/SiO2核壳结构纳米线,在室温时发射中心波长分别为380nm和505nm的紫外峰和绿光带。经分析认为,波长380nm的紫外峰来源于SiO2中的O空位缺陷;而中心波长505nm的绿光带则来源于受量子尺寸效应影响并包覆了SiO2外壳的SiC内核。
关键词Sic Sio2 核壳结构 光致发光(Pl)
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42899
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
刘霞,曹连振,蒋红,等. SiC/SiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究[J]. 光电子.激光,2014(6):1115-1118.
APA 刘霞,曹连振,蒋红,&宋航.(2014).SiC/SiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究.光电子.激光(6),1115-1118.
MLA 刘霞,et al."SiC/SiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究".光电子.激光 .6(2014):1115-1118.
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