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硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响
赵鹏程; 张振中; 姚斌; 李炳辉; 王双鹏; 姜明明; 赵东旭; 单崇新; 刘雷; 申德振
2014-07-15
发表期刊发光学报
期号7页码:795-799
摘要利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B—N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO∶(B,N)薄膜在两年多的时间内一直显示稳定的p型电导。这是由于B—N键的存在提高了N在ZnO薄膜中的固溶度,且B—N键之间强的键能和B占据Zn位所表现的弱施主特性不会带来强的施主补偿效应,说明B是N掺杂ZnO薄膜的一种良好的共掺元素。
文章类型期刊
关键词Zno B/n共掺 P型掺杂
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42829
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
赵鹏程,张振中,姚斌,等. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响[J]. 发光学报,2014(7):795-799.
APA 赵鹏程.,张振中.,姚斌.,李炳辉.,王双鹏.,...&申德振.(2014).硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响.发光学报(7),795-799.
MLA 赵鹏程,et al."硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响".发光学报 .7(2014):795-799.
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