Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型 | |
王珣; 金春水 ; 匡尚奇; 喻波; 金方圆
| |
| 2014-05-10 | |
| 发表期刊 | 光学学报
 |
| 期号 | 5页码:299-305 |
| 摘要 | 极紫外光刻(EUVL)是最有可能实现22nm技术节点的下一代光刻技术。极紫外(EUV)光刻系统使用波长为13.5nm,在此波段下曝光设备只能采用全反射式系统。然而,在极紫外光辐照下的光学元件,薄膜表层的碳化和氧化是导致EUV反射膜反射率下降的两种主要机制。结合EUV光学器件的表面分子动力学理论,研究碳沉积层的作用机理,以便找到抑制污染沉积的有效方法。通过针对碳污染层模型的计算研究,验证了模型和假设的有效性,从侧面证明了Boller等的二次电子诱导分解是主要沉积过程理论。通过迭代法模拟了控制污染的几个关键参数对沉积层的影响,得到50~80nm的非工作波段产生的碳沉积最为严重的计算结果。 |
| 文章类型 | 期刊 |
| 关键词 | 薄膜 极紫外光刻 碳沉积模型 迭代法 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42763 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王珣,金春水,匡尚奇,等. 极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型[J]. 光学学报,2014(5):299-305. |
| APA | 王珣,金春水,匡尚奇,喻波,&金方圆.(2014).极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型.光学学报(5),299-305. |
| MLA | 王珣,et al."极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型".光学学报 .5(2014):299-305. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型.（351KB） | 开放获取 | ODC PDDL | 浏览 下载 | |||
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