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大功率半导体激光器腔面膜的场强分布优化
张金胜; 宁永强; 张金龙; 张建; 张建伟; 王立军
2014-01-10
发表期刊中国激光
期号1页码:151-155
摘要为了提高半导体激光器腔面膜的激光损伤阈值,进而提高激光器输出功率,对激光器的灾变性光学镜面损伤产生的原因进行了探讨。根据损伤原理,将高反膜中场强最大处移出界面,采用光学传输矩阵,对厚度连续变化的界面场强和反射率进行了计算,得到优化高反膜系,优化膜系减小了界面处的光场对薄膜的损伤。采用改进后束流密度更大的LaB6作为阴极原位等离子源,对离子源清洗的参数进行了优化。薄膜制备前期使用离子清洗的方法在真空环境下对腔面进行去氧化,在制备过程中使用电子束蒸发离子源辅助沉积,并测试了薄膜在高温高湿环境下的稳定性。使用该优化的膜系和清洗方法制备的半导体激光器,在准连续输出时,功率由4.6 W提升到了7.02W,工作电流由5A提升到了8A。
文章类型期刊
关键词激光器 腔面膜 激光损伤 电场分布
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42645
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
张金胜,宁永强,张金龙,等. 大功率半导体激光器腔面膜的场强分布优化[J]. 中国激光,2014(1):151-155.
APA 张金胜,宁永强,张金龙,张建,张建伟,&王立军.(2014).大功率半导体激光器腔面膜的场强分布优化.中国激光(1),151-155.
MLA 张金胜,et al."大功率半导体激光器腔面膜的场强分布优化".中国激光 .1(2014):151-155.
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