Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升 | |
李红; 甘至宏; 刘星元
| |
| 2014-02-15 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| 期号 | 2页码:238-242 |
| 摘要 | 采用EuF3薄层修饰低功函数金属Ag源、漏电极,制备了CuPc有机场效应晶体管,研究了不同厚度EuF3对器件性能的影响。结果表明,EuF3的厚度由0 nm增至0.6 nm时,接触电阻由23.65×105Ω·cm减至3.86×105Ω·cm,使得器件载流子迁移率由1.5×10-3cm2·V-1·s-1提高到4.65×10-3cm2·V-1·s-1。UPS测试结果表明,薄层EuF3在Ag与有机半导体间形成了界面偶极势垒,使源漏电极表面功函数增大,空穴注入势垒降低,Ag电极与有机半导体层界面的接触电阻减小,进而提升了空穴的注入效率。 |
| 文章类型 | 期刊 |
| 关键词 | 场效应晶体管 Euf 3 修饰层 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42632 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李红,甘至宏,刘星元. 超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升[J]. 发光学报,2014(2):238-242. |
| APA | 李红,甘至宏,&刘星元.(2014).超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升.发光学报(2),238-242. |
| MLA | 李红,et al."超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升".发光学报 .2(2014):238-242. |
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| 超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体（740KB） | 开放获取 | ODC PDDL | 浏览 下载 | |||
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