一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件的制作方法

	一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件的制作方法
	田超梁静秋梁中翥王维彪
	2014-11-19
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2014-11-19
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	本发明公开了一种平面电极结构LED阵列微显示器件的制作方法，步骤包括：在所述器件本体上刻蚀出多条相互交叉的第一沟槽；在所述沟槽的底部生长下电极金属层，形成下电极金属层；在所述下电极上方生长绝缘介质层；下电极图形外的下电极金属层区域进行腐蚀，向下腐蚀至N型衬底层的一定深度，形成多个第二沟槽；向第二沟槽内和下电极的保护介质上方处填充不透明光阑；在所述发光单元上方制作上电极；并电铸上、下电极引线。本发明提出的平面电极结构LED阵列微显示器件的制作方法，可以避免正、背面分别做电极带来的工艺困难，制作的微显示器件具有异面垂直的双条形的上、下电极，可以得到较为均匀的电流分布，从而得到发光均匀的微显示器件。
专利号	201210255704.4
语种	中文
专利状态	公开
申请号	201210255704.4
PCT属性	是
专利代理人	张伟
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42127
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	田超梁静秋梁中翥王维彪. 一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件的制作方法. 201210255704.4[P]. 2014-11-19.

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CN201210255704-一种单面电（5113KB）			开放获取	CC BY-NC-ND	浏览下载